高周波用語集一覧

【高周波用語集】終端器、抵抗整合器

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終端器(ターミネータ、ダミーロード)とは

終端器はシステムの空きボートに接続して、反射を防ぐ目的で使用されます。
例えば同軸4分配器の3つの出力だけ使用するような場合、1出力が開放端になるとその端子の部分で全反射となり、他の信号出力に影響を与え、VSWRも悪化します。このため、必ず空きポートは終端器で終端しなければなりません。
終端器は通常50Ωタイプと75Ωタイプが用意されており、特性インピーダンスと等しい値で終端します。この
場合注意しなければならばいのが、終端器に加わる電力です。
終端したポートから出力される全電力が終端器に印加されるのですから、許容電力(定格電力)以下で使用しないと発熱や抵抗体の焼損など故障の原因となります。
終端器はコネクタの種類により、N形、BNC形、TNC形、SMA形、F形などがあります。

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抵抗整合器とは

抵抗整合器は、信号源インピーダンスと異なる負荷に接続し、インピーダンスマッチングを取る目的で使用します。代表的なものに、50Ω系の低インピーダンス回路をオシロスコープで波形観測する場合に使用する、通過形の50Ω終端器があります。

抵抗整合器等価回路

《高周波用語集》
デシベル計算減衰器固定アッテネータ抵抗値表終端器、抵抗整合器アンプの用語解説物理定数周波数と波長表皮効果(Skin Effect)損失リターンロス・VSWR分配・合成同軸切換器同軸ケーブル同軸ケーブルの呼称と標準的な規格同軸コネクタ同軸コネクタ基本構造雑音指数インピーダンスマッチング(インピーダンス整合)

【高周波用語集】同軸コネクタの基本構造

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同軸コネクタの基本構成

同軸コネクタは機能的に分類すると、主に4つの部分で構成されています。

名称 性能
中心コンタクト 電気的に接合される同軸の中心部となる箇所で、オス形状とメス形状があります。
シェル 同軸構造の外部導体に相当する部分と機器的にかん合するネジ部から構成されています。
プラグ側 (通常はオス)のシェルと、ジャック側(通常はメス)のシェルを接続ナットでかん合させ、
これにより中心コンタクトのオス、メス同士を圧接させ接続します。
接続ナット ラグ側のシェルに取り付け、ジャック側のシェルのネジにかん合させて固定する機能を持っています。
機械的に抜けないように保持リングなどで固定します。
保持リング 接続ナットの抜け止めの機能を持っています。

同軸コネクタの機械的保持構造

同軸コネクタは用途や周波数や特性インピーダンス等の違いにより種々の構造がありますが、オス(Male)、メス(Female)一対のコネクタを機械的に保持し、電極を圧接させる構造となっています。N形コネクタの、かん合状態を下図に示します。

コネクタ嵌合図

表-代表的なコネクタの種類と特徴

機器的保持構造 コネクタの種類 特徴
ネジかん合式 N形、TNC形、SMA形 機器的に安定な接続方法であるため、高周波特性の変動が
小さく多くのコネクタに採用されています。
プッシュロック式 SMB形、SML形 着脱は簡単ですが、構造上小型で一般的にはあまり抜き差し
しない用途に限られます。
バイヨネット式 BNC形 放送機器や計測器に多く用いられている方式です。コネクタを
侵入して半回転することにより固定できることから操作性が良く着脱
の耐久性にも優れているため、数多く使用されています。周波数が
1GHzを超える構造上の機械的なガタにより特性変動が起きる事があります。

同軸コネクタの特性インピーダンス

同軸コネクタを使用する際に、周波数が高くなって利用する同軸ケーブル長に波長が近づいてくると、インピーダンス整合を考慮しなければ接続点で反射がおき、反射損失(リターンロス)が生じます。従って、特性インピーダンスが75Ωの装置に50Ωの同軸ケーブルを接続することは機械的に接続できたとしても、同軸線路上には定在波が立ち負荷側には信号源からの信号が効率よく伝送されないこととなります。
BNC形やN形は見かけ上、機械的に接続できてしまいますが誤った使い方です。特に75ΩのN形コネクタは中心コンタクトが細いため、50ΩのN形プラグを誤って75ΩのN形ジャックに挿入するとコネクタが破損してしまいます。

同軸コネクタのメッキ(表面処理)について

同軸コネクタは金属同士を機械的に接触させ、高周波信号を伝送する構造になっています。
高周波信号は金属の中を一様に流れるのではなく、金属の表面の集中して流れる性質(表皮効果)があるため、通常は母材として加工しやすい材料を使用し、高周波信号が流れるその金属表面にメッキを施して要求される加工性、耐久性及び高周波特性を満足させています。このため、表面処理の特性や金属の性質を知っておく必要があります。
表-同軸コネクタに使用されるメッキ(表面処理)の種類

種類 特徴 主な用途
金メッキ 化学的にも安定で、耐久性に優れています。電気伝導率も銀、銅に次いで高いの
で接触抵抗が小さい接触部分に多く使用されていますが非常に高価です。
中心コンタクト、シェル
銀メッキ 伝導率が金属の中でも最も高いため、ロスが問題となる場所に多く使用されてい
るメッキですが、硫化により表面が変色しやすいという欠点があります。
中心コンタクト、シェル
ニッケルメッキ 耐久性に優れているため、接続ナットやシェルに多く使用されているメッキです。
金メッキの下地処理としても使用されます。
シェル、接続ナット
パッシベイト ステンレスは耐食性に優れています。これは表面に酸化膜を形成するためです、
加工工程でのゴミの付着や表面処理の状態が変化して錆びることがあり、メッキ
ではありませんが表面を硝酸等で不動態化(パッシベイト)させることにより耐食性
が大幅に向上します。
シェル、接続ナット

電食(電蝕)について

同軸コネクタの接合(コンタクト)部分に異種金属を使用した場合、2種の金属イオン化傾向が大きいほど電位差が生じ、負荷回路を通じて電流が流れています。特に高湿度の環境下では、水分の中に金属イオンとなって溶け出し、局部電池効果により腐食が生じてきます。これを電食といいます。
*イオン化傾向とは金属イオンになりやすい性質のことをいい、次のような傾向になっています。

K>Ca>Na>Mg>Al>Zn>Fe>Ni>Sn>Pb>Cu>Hg>Ag>Pt>Au

同軸コネクタの締め付けトルク

同軸コネクタのオス、メスのかん合には接続ナットを相手方のネジに締め付けることによりコンタクト部分が機械的に相互に圧接され、電気的にも接合状態となります。
ねじの締結には接続ナットを手で締めるものと、スパナ掛けする構造のものがあります。手締めで良いものを工具で締め付けたりすること、コネクタのネジ山を潰したり、金属屑が出たり、極端な場合には接続ナットが抜けたりすることもあります。規定の締め付けトルクで正しく接続することが重要です。
この締め付けトルクはコネクタはコネクタの構造により異なりますので、締めすぎないようにトルクレンチなどを使用します。
表-同軸コネクタの締め付けトルク:参考値(保証値ではありません)

種類 締め付けトルク値(N・m)
SMA形 0.8~1.1
N形 0.7~1.1
TNC形 0.5~0.7

変換アダプタ

変換アダプタは異なる種類の同軸コネクタ同士を接続するためのアダプタですが、インピーダンス整合機能は有してません。例えば、75Ωと50ΩのBNCコネクタは機械的には接続可能ですが、BNC形75ΩからN形50Ωに変換アダプタのみを使用するとインピーダンスのミスマッチングが起き、正しい信号伝送ができません。
従って、50Ωまたは75Ω同士の変換のみに使用します。

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【高周波用語集】同軸切換器

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同軸切換器

同軸切換器は複数(又は1つ)の同軸線路を希望する同軸線路に切り換える装置です。
同軸切換器の種類には、1入力で複数の出力に切り換えるものや多入力を1系統の出力に切り換えるもの、また切り換える手段もリレーや半導体を使用し電子的に切り換えるものや手動で切り換えるものなどがあります。
一番簡単な切換器の構成はSPDT(Single Pole Double Through:短極双投)、いわゆる2切換器です。

SPDTの等価回路

高周波同軸切換器の場合は、単純に回路のオンオフだけではなく、インピーダンス整合を図りつつ、回路間のアイソレーションも考慮する必要があります。
一般的には50Ωタイプと75Ωタイプがあり、接続する同軸コネクタもそれに適合するような構造になっています。

高周波同軸リレーを用いた同軸切換器

同軸リレーの特徴は、オン抵抗が小さいため挿入損失を低く抑えらることです。
また、機械式接点のため、高速切り換えには適していませんが、装置内の信号選択用途や印加電圧が停止した場合でもどちらからの接点は閉じているため、停電や故障時のフェイルセーフ機能などにも用いられています。
切り換え時には一旦ノンショーティング状態となりますので、切り換えの際の過渡応答による出力機器等への影響の有無に関する注意が必要です。

(1)シングルステーブルタイプ
励磁コイルに定格電圧を印加するとコンタクトはNCからNO側に切り換わります。再度、印加電圧をオフすると、NC側に戻りその状態を維持します。
終端器付き同軸2切換器

(2)ラッチングタイプ
ラッチングタイプは励磁コイルとして2つの巻線を持ち、セット用とリセット用に分かれています。
ラッチングタイプはシングルステーブルタイプと異なり、希望する制御端子に定格電圧を一定時間だけはパルス状に印加することにより、その状態を保持しますので巻線に電圧を常時印加する必要がありません。
切り換え時間は20msが標準値となっています。
ラッチングタイプの動作

(3)内部終端の有無しとは
同軸切換器の場合は単純に回路を切り換えると、接続されていない方の端子は、解放となってしまうため他の回路に影響を与えることがあります。この場合には強制的に特性インピーダンスに等しい抵抗で終端できるように
終端機能付きの切換器を使用しています。

PINダイオードを用いた同軸切換器

同軸回路を高速で切り換えるためには、ダイオードスイッチが有効で10μs程度で切換が可能です。
但し、高周波リレーに比較するとオン抵抗が若干大きく、挿入損失では前者が0.5dBに対して1.5dB程度となっています。
電子式切り換え方式ですので、耐久性が要求される連続の切り換えや、高速での切り換える用途には最適です。

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【高周波用語集】同軸ケーブルの呼称と標準的な規格

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同軸ケーブルの呼称と標準的な規格

同軸ケーブルにはJISケーブル、軍用規格ケーブル、セミリジットケーブルがあり、それぞれ規格が定められています。
(本仕様は参考値ですので、詳しくはメーカーにお問合せ下さい)

・JIS(日本標準規格)で規定が定められている同軸ケーブルです。

・JISケーブル 5C-2Vの例

5 C 2 V
外部導体の概略内径(mm) 特性インピーダンスが
C: 75Ω
D: 50Ω
絶縁体が
2: ポリエチレン
F: 発泡ポリエチレン
外部導体が
B: アルミ箔付きプラスチックテープと導体編組
V: 一重導体編組
W: 二重導体編組
名称 中心導体径
(mm)
絶縁体外径
(mm)
仕上外径
(mm)
特性インピーダンス
(Ω)
波長短縮率10MHz
(%)
減衰量(dB/km)
1MHz 10MHz 30MHz 200MHz
1.5C-2V 1/0.26 1.6 2.9 75 67 73 96 145 393
2.5C-2V 1/0.4 2.4 4.3 75 67 17 52 93 251
3C-2V 1/0.5 3.1 5.8 75 67 13 42 73 194
3C-2W 1/0.5 3.1 6.5 75 67 13 42 73 194
5C-2V 1/0.8 4.9 7.4 75 67 7.6 26 47 125
5C-2W 1/0.8 4.9 8.3 75 67 7.6 26 47 125
1.5D-2V 1/0.54 1.6 2.9 50 66 24 85 145 415
2.5D-2V 1/0.8 2.7 4.3 50 66 13 45 80 226
3D-2V 7/0.32 3.0 5.3 50 66 15 47 82 219
3D-2W 0.96 3.0 6.4 50 66 15 47 82 219
5D-2V 1/1.4 4.8 7.3 50 66 7.3 26 46 125
5D-2W 1/1.4 4.8 8.1 50 66 7.3 26 46 125

・MIL規格ケーブル
軍用ケーブルはRG形ケーブルともいい、RG形ケーブルは軍用MIL規格による同軸ケーブルです。米軍MIL規格および防衛省規格による同軸ケーブルです。
JISケーブルよりも相当品に比較して外径が若干小さいので一般にも広く使用されています。

RG 58A /U
Radio Guideの略 規格登録No. U:Universal
名称 中心導体径
(mm)
絶縁体外径
(mm)
仕上外径
(mm)
特性インピーダンス
(Ω)
波長短縮率10MHz
(%)
減衰量(dB/km)
1MHz 10MHz 30MHz 300MHz
RG-59U 1/0.643 3.7 6.15 73 66 14 33 66 230
RG-174/U 7/0.16 1.5 2.5 50 66 630
RG-122/U 27/0.127 2.4 4.1 50 66 345
RG-55/U 1/0.813 2.9 4.95 53.5 66 13 40 80 260
RG-58/U 19/0.18 2.9 4.95 50 66 14 43 82 315

・セミリジットケーブル
JIS規格ケーブル、MIL規格ケーブルは、柔軟性を確保して取扱いしやすいように外部導体が編組構造となっています。この為周波数が高くなると遮蔽効果が弱くなり、また伝送損失は増加していきます。セミリジットケーブルは外部導体を金属管にすることにより伝送特性を改善した同軸ケーブルです。合わせて、絶縁体にテフロンを使用することにより誘電体損失も低減させています。

名称 中心導体径
(mm)
絶縁体外径
(mm)
仕上外径
(mm)
特性インピーダンス
(Ω)
波長短縮率10MHz
(%)
減衰量(dB/km)
1GHz 5GHz 10GHz 20GHz
RG-405 1/0.51 1.68 2.19 50 70 6.3 14.3 22.8 37.0
RG-402 1/0.91 3 3.58 50 70 3.4 8.3 12.8 20.0

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デシベル計算減衰器固定アッテネータ抵抗値表終端器、抵抗整合器アンプの用語解説物理定数周波数と波長表皮効果(Skin Effect)損失リターンロス・VSWR分配・合成同軸切換器同軸ケーブル同軸ケーブルの呼称と標準的な規格同軸コネクタ同軸コネクタ基本構造雑音指数インピーダンスマッチング(インピーダンス整合)

【高周波用語集】インピーダンス変換器

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インピーダンス変換器とは

インピーダンス変換器は異なる特性インピーダンス間でインピーダンスマッチングを行う機能を有しています。
通常は50Ωから75Ω、または75Ωから50Ωにインピーダンスを変換します。
インピーダンスを変換する方式には変換トランスによるものと、抵抗によるもの、伝送回路によるものがあり、
用途や周波数帯域によって使い分けされています。

<インピーダンス変換器の接続>
信号源と負荷の特性インピーダンスが異なるものをそのままに接続すると、負荷の入力端で反射が起きますので、
下図の如く経路の中間にインピーダンス変換器を挿入します。
この場合の伝送損失は、インピーダンス変換器の挿入損失を加える必要があります。

一般的なインピーダンス変換器の挿入方法

インピーダンス変換器の原理

(1)変換トランスによる方法
トランスの巻線比を$\small{N} = \dfrac{N_2}{N_1}$とします。理想トランスの場合、1次側の電力は全て2次側に伝達されるので、2次側から1次側をみた特性インピーダンス$\small{Z_0}$は

$Z_0 = N^2 \cdot R_1$

インピーダンスマッチングさせるためには

$Z_0 = R_2$

ですから、

$N = \sqrt{\dfrac{R_2}{R_1}}$

が成り立つ巻線比のトランスを製作すれば、インピーダンス整合させることができます。
50Ωから75Ωに変換するための巻線比は、$\small{N}$=1.22となります。

変換トランス法

(2)抵抗による方法
抵抗によるインピーダンス変換方式は、帯域内での特性が平坦で安定な変換が出来ますが、抵抗による電力損失が生じます。抵抗値は変換する特性インピーダンスにより一義的に決まりますので、損失は計算できます。
50Ω/75Ωのインピーダンス変換器では下図に示す抵抗値となり、挿入損失は5.72dBとなります。

L型インピーダンス変換

(3)伝送回路による方法
マイクロストリップラインなどの伝送線路を用いたインピーダンス変換回路は、分布定数回路をうまく利用したものとして広く使われており、50-75Ωの変換回路だけではなく、分配器などにも応用できます。
回路例としては、下図のように非常に簡単な回路となります。

マイクロストリップライン,スミスチャート

回路の入力インピーダンスを$Z_{in}$、出力インピーダンスを$Z_{out}$とすると

$Z = \sqrt{Z_{in} \times Z_{out}}$

となるインピーダンスの伝送線路をλ/4の電気長だけ挿入すれば$\small{Z_{in}}$と$\small{Z_{out}}$をマッチングさせることが出来ます。
例えば$\small{Z_{in}}$=50Ω、$\small{Z_{out}}$=75Ωとすると、$\small{Z}$=61.2Ωとなります。
ここでは、この原理がどのようになっているかスミスチャートの軌跡で見てみたいと思います。
図-スミスチャート上でのインピーダンスの動きは、負荷に、あるインピーダンスの伝送線路を接続したときの入力側からみたインピーダンスの動きを示しています。
この図では、水平線上の下側に円弧が書かれていて、これは75Ωの負荷に61.2Ωの伝送線路をλ/4(90°)時計方向に回転させたものです。これにより、インピーダンスはスミスチャート上の中心の50Ωへ移動していることがわかります。つまり、スミスチャート上では、入力と出力を結ぶ円弧を描き、その中心となる点のインピーダンスが求める$\small{Z}$となります。この回路は、ウィルキンソン分配器などにも応用されるマイクロ波の基本的な回路となりますので、覚えておくと便利です。

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デシベル計算減衰器固定アッテネータ抵抗値表終端器、抵抗整合器アンプの用語解説物理定数周波数と波長表皮効果(Skin Effect)損失リターンロス・VSWR分配・合成同軸切換器同軸ケーブル同軸ケーブルの呼称と標準的な規格同軸コネクタ同軸コネクタ基本構造雑音指数インピーダンスマッチング(インピーダンス整合)

【高周波用語集】デシベル計算

デシベルとは

自然界の現象を数値的に捉えようとすると、真数より対数であらわした方が分かり易いことが多く、例えば、1Vと1万Vを同一に扱おうとすると、1万Vは10,000Vと4桁にもなり実用的ではありません。
一方、人間の感覚は対数特性を有しており、物理現象を感覚的に実感しやすいことから対数で表現する手法が多く用いられています。
また乗除算は加減算として計算できる特徴があり、特に高周波の世界ではデシベルを理解すると便利です。

デシベルの定義

物理現象を比較するのに基準に対し対象となる値が何倍かの比を、10を底とした対数で表したものの単位をベル(B)と呼んでいます。例えば2倍は0.3(B)です。
ところが直感的にそれを10倍した値であるデシベル(dB)を単位とした方が取扱いし易いので、高周波信号にはデシベルが使われます。

$X$(dB)$= 10 \log {\dfrac{B}{A}}$ : Aを基準、logは10を底にしています。・・・・(1)

なお、単にデシベルというだけでは何を基準としたかが分からないため、dBの後に「m」や「μ」、「c」などを付けて表すこともあります。

単位 読み 意味
dBm デービーエム 1mWを基準とした電力比です
dBμ デービーマイクロ 1μVを基準とした電圧比です
dBc デービーシー キャリアレベルを基準とした電力比です
dB デービー又はデシベル 基準値との比です(利得計算や損失、雑音指数など)

ここで注意しなければならないのは、扱う基準値が電力値か、電圧値かにより計算値が異なることです。
これは電力と電圧の関係が、相関関係にあるため、数値的な矛盾を起こさないようになっているからです。
即ち、抵抗Rに印加する電圧をV、その抵抗に流れる電流をIとすると、その抵抗が消費する電力Pは

$P = \dfrac{V^2}{R} = I^2R$ ・・・・(2)

仮に入力電力をP1,出力電力をP2としてデシベル計算をしてみると

電力比(dB)$= 10\log {\dfrac{P_2}{P_1}} = 10\log {\left( \dfrac{V_2}{V_1} \right)^2} = 20\log {\dfrac{V_2}{V_1}}$ ・・・・(3)

となり、電力を基準単位にするか電圧を基準単位にするかで計算式が異なるのです。

デシベルの簡単計算

比率とデシベルの関係(概算値)を覚えておくと、便利です。

比(倍率) 電力比(dB) 電圧比(dB) 比(倍率) 電力比(dB) 電圧比(dB)
1 0 0 1/2 -3 -6
2 3 6 1/3 -5 -10
3 5 10 1/5 -7 -14
10 10 20 1/10 -10 -20

単純ですが、たったこれだけ覚えるとかなりの計算が出来ます。
例えば電力比で
4倍=22なのでデシベル換算では2×3dB=6dB
5倍=10/2ですからデシベル換算では10dB-3dB=7dB
6倍=2×3ですからデシベル換算では3dB+5dB=8dB
という具合に簡単に計算することができます。
例)アンプの利得23dBは何倍(ここでいう利得とは電力利得です。)
これはデシベルから比(倍率)を逆算する場合です。
デシベル値を$\small{X}$とすると

倍率($N$)$= 10^ \left( \frac{X}{10} \right)$

答えはまず23dBを20dB+3dBに分けます。
そうすると、20dBは100倍、3dBは2倍ですから、 倍率に直すと100×2=200倍
のアンプということになります。

デシベル換算表

比(倍率) 電力比(dB) 電圧比(dB) 比(倍率) 電力比(dB) 電圧比(dB)
1 0.0 0.0 30 14.8 29.6
2 3.0 6.0 40 16.0 32.0
3 4.8 9.6 50 17.0 34.0
4 6.0 12.0 60 17.8 35.6
5 7.0 14.0 70 18.5 37.0
6 7.8 15.6 80 19.0 38.0
7 8.5 17.0 90 19.5 39.0
8 9.0 18.0 100 20.0 40.0
9 9.5 19.0 200 23.0 46.0
10 10.0 20.0 300 24.8 49.6
11 10.4 20.8 400 26.0 52.0
12 10.8 21.6 500 27.0 54.0
13 11.1 22.2 600 27.8 55.6
14 11.5 23.0 700 28.5 57.0
15 11.8 23.6 800 29.0 58.0
16 12.0 24.0 900 29.5 59.0
17 12.3 24.6 1,000 30.0 60.0
18 12.6 25.2 10,000 40.0 80.0
19 12.8 25.6 100,000 50.0 100.0
20 13.0 26.0 1,000,000 60.0 120.0

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デシベル計算減衰器固定アッテネータ抵抗値表終端器、抵抗整合器アンプの用語解説物理定数周波数と波長表皮効果(Skin Effect)損失リターンロス・VSWR分配・合成同軸切換器同軸ケーブル同軸ケーブルの呼称と標準的な規格同軸コネクタ同軸コネクタ基本構造雑音指数インピーダンスマッチング(インピーダンス整合)

【高周波用語集】固定アッテネータ抵抗値表

固定アッテネータ抵抗値表(Resistor chart of fixed Attenuator )とは

アンプ設計や伝送路設計などで利得調整が必要な場合が多々あります。この場合に手元に抵抗値定数表があると便利だと思ったことがありませんか。
T型アッテネータとπ型アッテネータの抵抗値を掲載しましたので、ご活用下さい。

【計算式はこちらをご覧下さい。】

実際には、計算どおりの定数を入手するのは容易では無いので、回路の中で使用する場合には、比較的入手し易いE24系列の抵抗器で構成するとほぼ近い減衰量が得られます。

                         E24系列の抵抗係数
系列 係数 系列 係数 系列 係数 系列 係数
1 1.0 7 1.8 13 3.3 19 5.6
2 1.1 8 2.0 14 3.6 20 6.2
3 1.2 9 2.2 15 3.9 21 6.8
4 1.3 10 2.4 16 4.3 22 7.5
5 1.5 11 2.7 17 4.7 23 8.2
6 1.6 12 3.0 18 5.1 24 9.1

注)下記抵抗値は計算値であり、ご使用になる周波数帯、構造によっても減衰特性は影響しますのでご利用の場合は、実回路でのご確認をお願いします。

1. T型固定アッテネータ
T型固定アッテネータ

                ZO=50Ω                 ZO=75Ω
ATT(dB) R1(Ω) R2(Ω) ATT(dB) R1(Ω) R2(Ω)
1 2.9 433.3 1 4.3 650.0
2 5.7 215.2 2 8.6 322.9
3 8.5 141.9 3 12.8 212.9
4 11.3 104.8 4 17.0 157.2
5 14.0 82.2 5 21.0 123.4
6 16.6 66.9 6 24.9 100.4
7 19.1 55.8 7 28.7 83.7
8 21.5 47.3 8 32.3 71.0
9 23.8 40.6 9 35.7 60.9
10 26.0 35.1 10 39.0 52.7
15 34.9 18.4 15 52.4 27.5
20 40.9 10.1 20 61.4 15.2
25 44.7 5.6 25 67.0 8.5
30 46.9 3.0 30 70.4 4.7

2. π型固定アッテネータ
T型固定アッテネータ

                  ZO=50Ω                   ZO=75Ω
ATT(dB) R1(Ω) R2(Ω) ATT(dB) R1,R3(Ω) R2(Ω)
1 869.5 5.8 1 1304.3 8.7
2 436.2 11.6 2 654.3 17.4
3 292.4 17.6 3 438.6 26.4
4 221.0 23.8 4 331.5 35.8
5 178.5 30.4 5 267.7 45.6
6 150.5 37.4 6 225.7 56.0
7 130.7 44.8 7 196.1 67.2
8 116.1 52.8 8 174.2 79.3
9 105.0 61.6 9 157.5 92.4
10 96.2 71.2 10 144.4 106.7
15 71.6 136.1 15 107.4 204.2
20 61.1 247.5 20 91.7 371.3
25 56.0 443.2 25 83.9 664.7
30 53.3 789.8 30 79.9 1184.7

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【高周波用語集】アンプ(高周波増幅器)の用語解説

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アンプ(高周波増幅器)の用語解説

1.P1dB(1dB利得圧縮点)

P1dBはアンプの出力性能を表す値です。

◆リニアアンプは入力信号を増加していくと出力信号が直線的に 増加します。然しながら、入力信号を徐々に上げていったときに、何処までも増幅できる訳ではなく、いつかは飽和してしまいます。P1dBはアンプの出力段の能力でほぼ決まりますが、何処迄出力可能かの判断を行なう指数がP1dB(ピーワンディービー)です。P1dBの値が大きいほど直線性の良いアンプであるといえます。P1dBは読んで字の如く、利得直線な理想特性に対し1dB利得が 低下した点の出力レベルとなります。

アンプ用語

◆ネットワークアナライザのパワースイープ機能を利用すると、自動的に利得計算をしてくれます。S21モードで通過特性を出しておき、1dBの利得圧縮点に相当するポイントにマーカーを置きます。そのときの入力レベルPiに利得Gを加えると、P1dB が計算できます。

図2:アンプの特性図その2
アンプ用語

2.IP3 (3次相互変調ひずみ:インターセプトポイント)

◆増幅器の性能であるインターセプトポイント(IP3)は、増幅能力(3次相互変調ひずみ)を表わす値で、IP3の値が大きいほど増幅器の直線性が良いことを示しています。
一般に増幅器では、簡単な構成で出力レベルを大きくとりたいのですが歪との戦いになります。このためには使用するデバイスの増幅能力を予め知っておく必要があります。
アンプは単一信号だけではなく、同時に2信号以上入力された場合にもリニアアンプでは十分な直線性が要求されます。通常は使用帯域の近傍2波を入力して、その3次ひずみ成分として現れる現象を3次相互変調ひずみ(IM)といいます。IM成分は帯域の近傍に現れるため、妨害波として信号波に影響を与えることになります。
このアンプの出力端に現れるこの相互変調ひずみ成分は、入力信号レベルが高くなるに従って、その3倍のdB傾斜を持って増加していきます。即ち、希望信号の出力レベルが1dB増加すると、相互変調ひずみ成分は3dB増加します。希望する信号の出力レベルもアンプの飽和レベルに達するとそれ以上増加することは出来ませんが、もしこのアンプが飽和しないとした場合の理想特性とこのアンプの3次ひずみ成分が直線的に増加したとみなしたときの交点を出力レベル値に換算し、その値がIP3となります。通常、IP3はP1dBより10~12dB大きい値となります。

アンプ用語

図3はアンプの入出力特性を表しています。インターセプトポイントは図で示すように、アンプの入出力特性、即ち利得G(dB)で決まる増幅特性と、アンプの3次ひずみ成分、即ち勾配が3G(dB)で決まる3次ひずみ成分が等しくなった点です。ここで注意を要するのは、インターセプトポイントまでアンプの増幅能力がないため、IP3はあくまでも仮想の特性なのです。アンプに近接した2信号を加えるとスペクトラムアナライザには図4のようなスペクトラムが観測されます。

アンプ用語

この時のIP3は次のように計算されます。IP3=Po+IM3/2仮にf1とf2を同レベルでアンプに入力し、そのときの出力レベルPoを-10dBmとします。次にそのときの相互変調ひずみのレベルを-40dBcとするとIP3=-10+40/2=+10dBmとなります。

3.バックオフ

◆デジタル変調のかかった信号はピーク電力と平均電力の差 が大きいため、ピーク電力のマージン度合いを知ってシステム設計を行なう必要があります。このマージンをバックオフといいdBで表現します。バックオフは出力最大振幅レベルと出力飽和電力レベルのデシベル差で表します。バックオフマージンが大きいほどアンプのダイナミックレンジが要求されます。

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【高周波用語集】物理定数

日常使用する物理定数を集めました。

一般物理定数

名称 記号 定数 単位
真空中の光の速度 c 2.99792458 108m・s-1
真空中の透磁率 μ0 4π×10-7 H・m-1
真空中の誘電率 ε0 (4π)-1-2×107 F・m-1
プランク定数 h 6.6260755 10-34J・s
アボガドロ定数 NA 6.0221367 1023mol-1
ボルツマン定数 κ 1.380658 10-23J・K-1

線膨張率

線膨張率 : α=(1/l0)・(dl/dt): l0は0℃のときの長さ、lはt℃のときの長さを表す。

物質名 線膨張率α(×10-6
100K 293K(20℃) 500K
亜鉛 24.5 30.2 32.8
アルミニウム 12.2 23.1 26.4
11.8 14.2 15.4
14.2 18.9 20.6
4.5 8.6 9.9
16.8
ニッケル 6.6 13.4 15.3
黄銅 17.5 20.0
りん青銅 17.0 20.0

金属の熱伝導率

金属の熱伝導率 : 熱伝導率kは単位時間に単位面積を通過する熱エネルギーを温度勾配で割った物理量で表す。

物質名 熱伝導率 K(W・m-1・K-1
0℃ 100℃ 300℃
亜鉛 117 112 104
アルミニウム 236 240 233
319 313 299
428 422 407
83.5 72 56
403 395 381
ニッケル 94 83 67
黄銅 106 128 146

金属の電気抵抗

金属の電気抵抗 : R=ρl/a
ρ:体積抵抗率(Ω・m) 、lは長さ(m)、aは断面積(m2)とする。

物質名 体抵抗率ρ(Ω・m)×10-8
0℃ 100℃ 300℃
亜鉛 5.5 7.8 13.0
アルミニウム 2.5 3.55 5.9
2.05 2.88 4.63
1.47 2.08 3.34
8.9 14.7 31.5
1.55 2.23 3.6
ニッケル 6.2 10.3 22.5
黄銅 6.3

注)ここに掲載しました定数は標準値ですので、実際にご使用になる場合は、専門書やメーカーのカタログ等でご確認下さい。転記ミス、誤記等について当サイトはいかなる責任も負いません。

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【高周波用語集】周波数と波長

周波数(f)とは

周波数と波長

ここではまず周波数の概念を考えてみます

仮に図のような交流信号があったとします。
単位時間Tの中に何周期あるかをカウントしたものが周波数の概念です。
通常は単位時間を1秒としてその中に何周期の繰返しがあるかということで周波数を決めており単位はHzを使用します。

1秒間に1回の繰返し周期であれば、1Hzです。
1,000回の繰返し周期であれば、1000Hz=1kHzとなります。

通常使用する単位としては以下の通りです。

1THz(テラヘルツ)=1000GHz(ギガヘルツ)=1,000,000,000,000Hz
1GHz=1000MHz(メガヘルツ)=1000,000,000Hz
1MHz=1000kHz(キロヘルツ)=1000,000Hz
1kHz=1000Hz(ヘルツ)=1,000Hz

波長(λ)とは

波長は電磁波を扱う上では非常に重要なファクターです。
上記の図でまず1周期を考えてみます。周波数が高くなれば単位時間の繰返し数がその数だけ増加します。
ということは1周期の時間が短くなるということです。例えば、2Hzは1Hz の1/2の繰返し時間となります。
それでは1MHzの1周期あたりの時間tはどの位でしょう。

t=1/1,000,000 (秒)

となります。

真空中を伝わる電波の速さは 3×100,000,000 (m/秒) なので、1MHzの電波が1周期進む距離Lは

L=3×100,000,000×1/1,000,000=300 (m)

この1周期進む距離を1波長といい、通常はλ(らむだ)で表します。
周波数をf(Hz)とすると

λ=3×100,000,000/f (m)

の関係式が成り立ちます。

周波数(f)と波長(λ)の関係

周波数 f 波長 λ
10kHz 30km
100kHz 3km
1MHz 300m
3MHz 100m
10MHz 30m
30MHz 10m
100MHz 3m
300MHz 1m
1GHz 30cm
3GHz 10cm
10GHz 3cm
30GHz 1cm
100GHz 3mm

一般的な電波の呼称と用途

電波の呼称 略号 周波数 波長 用途
長波 LF 30~300kHz 10~1km 船舶、航空機用ビーコン
中波 MW 0.3~3MHz 1~0.1km 船舶通信、中波ラジオ、アマチュア無線、船舶航空機ビーコン
短波 HF 3~30MHz 100~10m 国際短波放送、船舶航空機通信、アマチュア無線
超短波 VHF 30~300MHz 10~1m FM放送、テレビ放送、防災行政無線、消防無線、列車無線、警察無線、アマチュア無線、航空管制無線、コードレス電話
超短波 UHF 0.3~3GHz 1~0.1m テレビ放送、携帯電話、PHS、タクシー無線、防災行政無線、レーダー、無線LAN、移動体衛星通信、パーソナル無線、アマチュア無線、コードレスお電話、ISM機器
マイクロ波 SHF 3~30GHz 10~1cm 衛星通信、衛星放送、レーダー、マイクロ波中継、電波天文、無線LAN 、ISM機器
ミリ波 EHF 30~300GHz 1~0.1cm 電波天文、衛星通信、簡易無線、レーダー、加入者系無線アクセス

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